Inhaltsverzeichnis:
- Definition - Was bedeutet DRAM (Dynamic Random Access Memory)?
- Techopedia erklärt DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Definition - Was bedeutet DRAM (Dynamic Random Access Memory)?
Dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM) ist eine Art Direktzugriffsspeicher, der in Computergeräten (hauptsächlich PCs) verwendet wird. DRAM speichert jedes Datenbit in einer separaten passiven elektronischen Komponente, die sich auf einer integrierten Leiterplatte befindet. Jede elektrische Komponente hat zwei Wertzustände in einem Bit, das als 0 und 1 bezeichnet wird. Dieser Captivator muss häufig aktualisiert werden, sonst werden die Informationen ausgeblendet. DRAM hat einen Kondensator und einen Transistor pro Bit im Gegensatz zum statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM), der 6 Transistoren benötigt. Die verwendeten Kondensatoren und Transistoren sind außergewöhnlich klein. Es gibt Millionen von Kondensatoren und Transistoren, die auf einen einzigen Speicherchip passen.
Techopedia erklärt DRAM (Dynamic Random Access Memory)
DRAM ist ein dynamischer Speicher und SRAM ist ein statischer Speicher. Die DRAM-Chips auf einer Leiterplatte müssen alle paar Millisekunden aktualisiert werden. Dies erfolgt durch Umschreiben der Daten in das Modul. Chips, die aufgefrischt werden müssen, sind flüchtiger Speicher. DRAM greift direkt auf den Speicher zu, hält den Speicher für kurze Zeit und verliert seine Daten, wenn die Stromversorgung abgeschaltet wird. SRAM ist ein flüchtiger Speicher, der statisch ist und nicht aktualisiert werden muss. Da SRAM viel schneller ist, wird es in Registern und im Cache-Speicher verwendet. SRAM speichert Daten und arbeitet mit höheren Geschwindigkeiten als DRAM. Obwohl SRAM schneller ist, wird DRAM auf der Hauptplatine häufiger verwendet, da die Herstellung viel billiger ist.
Die drei Haupttypen von Leiterplatten, die Speicherchips enthalten, sind Dual-In-Line-Speichermodule (DIMMs), Single-In-Line-Speichermodule (SIMMs) und Rambus-In-Line-Speichermodule (RIMMs). Heutzutage verwenden die meisten Motherboards DIMMs. Die Modulaktualisierungsrate für DRAM beträgt alle paar Millisekunden (1/1000 Sekunde). Diese Auffrischung erfolgt durch den Speichercontroller, der sich auf dem Chipsatz des Motherboards befindet. Da die Auffrischlogik für die automatische Auffrischung verwendet wird, ist eine DRAM-Leiterplatte ziemlich komplex. Es werden verschiedene Systeme zum Aktualisieren verwendet, aber für alle Methoden ist ein Zähler erforderlich, um die Zeile zu verfolgen, die als Nächstes aktualisiert werden muss. Die DRAM-Zellen sind in einer quadratischen Sammlung von Kondensatoren organisiert, typischerweise 1024 mal 1024 Zellen. Befindet sich eine Zelle im Zustand "Lesen", wird eine gesamte Zeile ausgelesen und die Aktualisierung zurückgeschrieben. Im Zustand "Schreiben" wird eine ganze Zeile "ausgelesen", ein Wert geändert und dann die ganze Zeile neu geschrieben. Je nach System gibt es DRAM-Chips, die einen Zähler enthalten, während andere Systeme auf eine periphere Auffrischlogik angewiesen sind, die einen Zähler enthält. Die Zugriffszeit des DRAM beträgt etwa 60 Nanosekunden, während der SRAM nur 10 Nanosekunden lang sein kann. Auch die Zykluszeit des DRAM ist viel länger als die des SRAM. Die Zykluszeit von SRAM ist kürzer, da zwischen Zugriffen und Aktualisierungen nicht angehalten werden muss.
