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Definition - Was bedeutet Perfect RAM?
Perfect RAM ist eine Art nichtflüchtiger Arbeitsspeicher. Es speichert Daten, indem der Zustand des verwendeten Materials geändert wird. Chalkogenidglas schaltet zwischen den Zuständen um, wenn es der Wärme ausgesetzt ist, die durch den Durchgang eines elektrischen Stroms erzeugt wird. Auf mikroskopischer Ebene wechseln die Daten zwischen zwei Zuständen hin und her: amorph und kristallin.
Perfect RAM ist eine von mehreren Speichertechnologien, die im Wettbewerb stehen, um Flash-Speicher zu ersetzen, was mit einer Reihe von Problemen verbunden ist.
Dieser Begriff wird auch als PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalkogenid-RAM, C-RAM und Phase-Change-Memory (PCM) bezeichnet.
Techopedia erklärt Perfect RAM
Im amorphen Zustand (oder in ungeordneter Phase) weist das Material einen hohen elektrischen Widerstand auf. Im kristallinen Zustand (oder in der geordneten Phase) hat es einen geringeren Widerstand. Auf diese Weise kann der elektrische Strom ein- und ausgeschaltet werden, wobei es sich um digitale High- und Low-Zustände handelt, die den Werten 1 und 0 eines Binärcodes entsprechen. Neuere Forschungen haben zwei zusätzliche Zustände entdeckt, die die Speicherkapazität effektiv verdoppeln.
Die Schreibzeiten für einen Flash-Speicher betragen ungefähr eine Millisekunde für einen Datenblock und sind 100.000-mal länger als die typische Lesezeit von 10 Nanosekunden (ns) für ein Byte unter Verwendung eines statischen Direktzugriffsspeichers (SRAM). Perfekter RAM kann eine viel höhere Leistung bieten, wenn schnelles Schreiben wichtig ist. Der Flash-Speicher verschlechtert sich mit jedem Spannungsstoß. Perfekte RAM-Geräte verschlechtern sich ebenfalls, allerdings mit einer viel langsameren Geschwindigkeit. Diese Geräte können ungefähr 100 Millionen Schreibzyklen aushalten. Die perfekte RAM-Lebensdauer wird durch Wärmeausdehnung während der Programmierung, Metallmigration und unbekannte Mechanismen begrenzt.
Zu den Herausforderungen für eine perfekte RAM-Technologie gehören die Anforderung einer hohen Programmierstromdichte (genaue Steuerung des Stroms), eines Langzeitwiderstands (anhaltender Widerstand gegen elektrischen Strom) und einer Schwellenspannungsdrift (genaue Steuerung der elektrischen Spannung) mikroskopische Ebene. Hewlett-Packard, Samsung, STMicroelectronics und Numonyx untersuchen unter anderem diese Herausforderungen.
